• 主题
  • 主题
  • 题名
  • 作者
  • 关键词
  • 摘要
  • 高级搜索  >
  • 外文期刊

  • 外文会议

  • 外文学位

  • 美国政府科技报告

  • 外军国防科技报告

  • 外文OA亿博帐号注册

  • 中文期刊

  • 中文会议

  • 中文学位

  • 美国卫生研究院亿博帐号注册

  • 您现在的位置:首页>外文期刊>Journal of Vacuum Science & Technology. B
    fengmian

    Journal of Vacuum Science & Technology. B SCIEICA

    中文名称:真空科学与技术学报。乙

  • ISSN:1071-1023
  • 出版周期:
  • 期刊论文
  • 2012

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2011

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2010

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2009

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2008

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2007

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2006

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2005

  • 第1期
  • 第2期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2004

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2003

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 2002

  • 第6期
  • 2001

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 2000

  • 第1期
  • 第2期
  • 第3期
  • 第4期
  • 第5期
  • 第6期
  • 更多>>

    全选(0
  • 机译 具有C_4f_8 / ar放电的高级光刻胶的等离子体表面相互作用:等离子体参数依赖性
  • 作者:S. Engelmann,R. L. Bruce,M. Sumiya,T. Kwon,R. Phaneuf,G. S. Oehrlein,C. Andes,D. Graves,D. Nest,E. A. Hudson
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 N极性Gan表面的能带弯曲和吸附/解吸动力学
  • 作者:Soojeong Choi,Tong-Ho Kim,Pae Wu,April Brown,Henry O. Everitt,Maria Losurdo,Giovanni Bruno
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Tac,Mon,Wsi,W和Wn蚀刻工艺后的等离子体反应器干洗策略
  • 作者:R. Ramos,G. Cunge,O. Joubert,T. Lill
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 线性回归法校正金属氧化物半导体电容器导纳测量的五元件电路模型
  • 作者:Chao-Ching Cheng,Chao-Hsin Chien,Guang-Li Luo,Jun-Cheng Liu,Yi-Cheng Chen,Yao-Feng Chang,Shin-Yuan Wang,Chi-Chung Kei,Chien-Nan Hsiao,Chun-Yen Chang
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 偏微透镜透镜的电子光学
  • 作者:M. J. van Bruggen,B. van Someren,P. Kruit
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 外延Mgfe_2o_4薄膜的分子束外延合成,结构和磁性
  • 作者:J. Cheng,V. K. Lazarov,G. E. Sterbinsky,B. W. Wessels
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 近场发射扫描电子显微镜
  • 作者:T. L. Kirk,U. Ramsperger,D. Pescia
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 减轻纳米压印掩模制造中的微负载效应
  • 作者:Raghunath Murali
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 用于表面和薄膜电阻率测量的稳定的二硅化钨触点
  • 作者:G. Jnawali,F.-J. Meyer zu Heringdorf,D. Wall,S. Sindermann,M. Hom-von Hoegen
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Dna定向组装纳米光子学的纳米粒子线性结构
  • 作者:Baoquan Ding,Stefano Cabrini,Ronald N. Zuckermann,Jeffrey Bokor
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 氢倍半硅氧烷高密度电子束纳米构图的两步抗蚀显影工艺
  • 作者:Hyo-Sung Lee,Jung-Sub Wi,Sung-Wook Nam,Hyun-Mi Kim,Ki-Bum Kim
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 纳米尖端辅助等离子装置的电学性质
  • 作者:Sung-O. Kim,Yang-Suk Ko,Hal-Bon Gu
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 前言
  • 作者:Hans-Joachim Muessing,Thomas Schroeder,Jarek Dabrowski
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 半导体应用的替代高k电介质
  • 作者:S. Van Elshocht,C. Adelmann,S. Clima,G. Pourtois,T. Conard,A. Delabie,A. Franquet,P. Lehnen,J. Meersschaut,N. Menou,M. Popovici,O. Richard,T. Schram,X. P. Wang,A. Hardy,D. Dewulf,M. K. Van Bael,P. Lehnen,T. Blomberg,D. Pierreux,J. Swerts
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 近大气压下脉冲等离子体化学气相沉积法无氨沉积氮化硅膜
  • 作者:M. Matsumoto,Y. Inayoshi,S. Murashige,M. Suemitsu,S. Nakajima,T. Uehara,Y. Toyoshima
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 射频磁控溅射Tio_x和Tio_xn_y栅介质层的金属氧化物半导体电容器的研究
  • 作者:K. F. Albertin,I. Pereyra
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 La_2o_3和Zro_2 / la_2o_3作为栅介质的P型Ge上的金属氧化物半导体器件及后金属化退火的影响
  • 作者:S. F. Galata,G. Mavrou,P. Tsipas,A. Sotiropoulos,Y. Panayiotatos,A. Dimoulas
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 硅酸:与高温退火兼容的高k电介质
  • 作者:H. D. B. Gottlob,A. Stefani,M. Schmidt,M. C. Lemme,H. Kurz,I. Z. Mitrovic,M. Werner,W. M. Davey,S. Hall,P. R. Chalker,K. Cherkaoui,P. K. Hurley,J. Piscator,O. Engstroem,S. B. Newcomb
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 外延Gd_2o_3的互补金属氧化物半导体集成
  • 作者:M. C. Lemme,H. D. B. Gottlob,T. J. Echtermeyer,M. Schmidt,H. Kurz,R. Endres,U. Schwalke,M. Czemohorkky,D. Tetzlaff,H. J. Osten
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 外延Pr_2o_3 / si(001)对生长过程中氧压的结构依赖性
  • 作者:Tatsuro Watahiki,Wolfgang Braun,Henning Riechert
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Ruo_2电极上高κTio_2金红石薄膜的外延生长
  • 作者:K. Froehlich,J. Aarik,M. Tapajna,A. Rosova,A. Aidla,E. Dobrocka,K. Huskova
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Si(111)上单晶氧化Pra薄膜的带隙和电子结构
  • 作者:O. Seifarth,J. Dabrowski,P. Zaumseil,S. Mueller,D. Schmeisser,H.-J. Muessig,T. Schroeder
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 场效应晶体管的带偏移和功函数控制
  • 作者:John Robertson
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 电极材料对Hfo_2金属-绝缘体-金属电容器的影响
  • 作者:Ch. Wenger,M. Lukosius,H.-J. Muessig,G. Ruhl,S. Pasko,Ch. Lone
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 等离子体损伤的可靠性表征研究进展
  • 作者:Andreas Martin
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 应力引起的漏电流和随机电报信号
  • 作者:Akinobu Teramoto,Yuki Kumagai,Kenichi Abe,Takafumi Fujisawa,Shunichi Watabe,Tomoyuki Suwa,Naoto Miyamoto,Shigetoshi Sugawa,Tadahiro Ohmi
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 电应力作用下Tin / sion和Tin / hfo_2门叠层三门Soi Nfinfets的逐步降解
  • 作者:J. M. Rafi,E. Simoen,A. Mercha,N. Collaert,F. Campabadal,C. Claeys
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 使用高k覆盖层抑制氧化硅-氮化物-氧化硅-硅型存储单元中的寄生电子注入
  • 作者:T. Erlbacher,T. Graf,N. DasGupta,A. J. Bauer,H. Ryssel
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 氮化硅技术对电荷陷阱Nand记忆的影响
  • 作者:A. Sebastiani,C. Scozzari,A. Mauri,A. Modelli,G. Albini,R. Piagge,P. Bacciaglia,A. Del Vitto,M. Alessandri,A. Grossi,P. Tessariol,G. Ghidini
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 等离子体增强化学气相沉积氮氧化硅层在非易失性半导体存储器件中的应用
  • 作者:Robert Mroczynski,Romuald B. Beck
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 铁电纳米结构
  • 作者:Ionela Vrejoiu,Marin Alexe,Dietrich Hesse,Ulrich Goesele
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 聚[偏二氟乙烯三氟乙烯]作为铁电层用于有机非易失性存储应用的金属/铁电/绝缘体/半导体结构的电学研究
  • 作者:K. Henkel,I. Lazareva,D. Mandal,I. Paloumpa,K. Mueller,Y. Koval,P. Mueller,D. Schmeisser
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 局部电荷陷阱非易失性存储设备中的接口状态形成
  • 作者:Asia Shapira,Yael Shur,Yosi Shacham-Diamand,Assaf Shappir,Boaz Eitan
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 使用化学计量学方法对刻蚀后的超低κSioch介电体进行傅里叶变换红外光谱分析的改进表征
  • 作者:Thomas Oszinda,Volkhard Beyer,Matthias Schaller,Daniel Fischer,Christin Bartsch,Stefan E. Schulz
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 甲苯-四乙氧基硅烷等离子聚合物薄膜的特性研究
  • 作者:S.-J. Cho,I.-S. Bae,S. Lee,D. Jung,W. S. Choi,J.-H. Boo
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 高压退火二氧化硅的光致发光
  • 作者:C. K. Wong,A. Misiuk,Hei Wong,A. Panas
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 包含Ge纳米晶体的高k电介质的发光和光致发光
  • 作者:Shu-Tong Chang,Shu-Hui Liao
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 原子层沉积膜中Hfo_2 / si界面形成的原位研究
  • 作者:Massimo Tallarida,Konstantin Karavaev,Dieter Schmeisser
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 高k栅堆叠膜界面缺陷的光谱椭偏测定
  • 作者:J. Price,G. Bersuker,P. S. Lysaght
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 金属氧化物半导体结构中穿过Sio_2-hfo_2堆栈的隧穿电流的解析模型
  • 作者:J. Coignus,R. CIerc,C. Leroux,G. Reimbold,G. Ghibaudo,F. Boulanger
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 双层栅堆叠隧穿概率的解析模型
  • 作者:B. Majkusiak
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 在栅移除的高k电容器上进行标准宏观和导电原子力显微镜泄漏测量的比较
  • 作者:W. Polspoel,W. Vandervorst,L. Aguilera,M. Porti,M. Nafria,X. Aymerich
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 具有对数电流-电压转换器的导电原子力显微镜的研制,用于研究金属氧化物半导体栅极电介质的可靠性
  • 作者:L. Aguilera,M. Lanza,A. Bayerl,M. Porti,M. Nafria,X. Aymerich
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 高k Zrsi_xo_(2-x)薄膜的微观和宏观电学特性的隧道原子力显微镜相关性
  • 作者:W. Weinreich,L. Wilde,P. Kuecher,M. Lemberger,V. Yanev,M. Rommel,A. J. Bauer,E. Erben,J. Heitmann,U. Schroeder,L. Oberbeck
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 含氢气氛下沉积非晶钛酸钡薄膜的电学性能
  • 作者:F. El Kamel,P. Gonon,A. Sylvestre,C. Vallee
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 金属-绝缘体-金属应用中锡和铂上生长的Hfo_2原子层沉积的理化和电学特性
  • 作者:C. Jorel,C. Vallee,E. Gourvest,B. Pelissier,M. Kahn,M. Bonvalot,P. Gonon
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 环戊二烯基和臭氧前体的原子层沉积法生长的锆和Ha氧化物高k栅极电介质的电性能
  • 作者:S. Duenas,H. Castan,H. Garcia,A. Gomez,L. Bailon,K. Kukli,J. Niinistoe,M. Ritala,M. Leskelae
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 解释(110)和(100)硅取向晶片上N-和P-soi-mos晶体管中1 / f噪声的不同机制
  • 作者:Philippe Gaubert,Akinobu Teramoto,Weitao Cheng,Tatsufumi Hamada,Tadahiro Ohmi
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 电介质的辐射损伤:单事件效应
  • 作者:Alessandro Paccagnella,Simone Gerardin,Giorgio Cellere
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 用于微机电系统的阳极氧化铝的机械性能
  • 作者:L. Moreno-Hagelsieb,D. Flandre,J.-P. Raskin
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 实时同步辐射X射线光电子能谱研究Si(110)的初始氧化
  • 作者:M. Suemitsu,Y. Yamamoto,H. Togashi,Y. Enta,A. Yoshigoe,Y. Teraoka
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 应用于Ge衬底的预沉积等离子体氮化工艺钝化了晶体ge衬底与Hf基高k电介质之间的界面
  • 作者:G. Lucovsky,J. P. Long,K.-B. Chung,H. Seo,B. Watts,R. Vasic,M. D. Ulrich
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 极紫外光致抗蚀剂中的脱保护模糊:基本载荷和曝光后烘烤温度的影响
  • 作者:Christopher N. Anderson,Patrick P. Naulleau
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 使用偶极子天线耦合的金属氧化物金属二极管进行热红外检测
  • 作者:Jeffrey A. Bean,Badri Tiwari,Gary H. Bernstein,P. Fay,Wolfgang Porod
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 在Bosch工艺的沉积步骤中,硅基板的刻蚀速率取决于C_4f_8和C_4f_6等离子体的使用
  • 作者:Hyongmoo Rhee,Hae Min Lee,Yun Mi Namkoung,Chang-Koo Kim,Heeyeop Chae,Yil Wook Kim
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 动态随机存取存储器试行环境中电子束应用的氢倍半硅氧烷的详细表征
  • 作者:K. Keil,K.-H. Choi,C. Hohle,J. Kretz,L. Szikszai,J.-W. Bartha
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 具有透明导电氧化物层的吸收剂堆,用于极紫外光刻
  • 作者:Hee Young Kang,Chang Kwon Hwangbo
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Sematech Berkeley极紫外显微曝光工具的最新结果
  • 作者:Patrick P. Naulleau,Christopher N. Anderson,Jerrin Chiu,Kim Dean,Paul Denham,Simi George,Kenneth A. Goldberg,Brian Hoef,Gideon Jones,Chawon Koh,Bruno La Fontaine,Andy Ma,Warren Montgomery,Dimitra Niakoula,Joo-on Park,Tom Wallow,Stefan Wur
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 热氮化过程中H-硅酸盐栅介质的界面降解研究
  • 作者:S. Y. Son,J. H. Jang,P. Kumar,R. K. Singh,J. H. Yuh,H. Cho,C. J. Kang
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 自组装焊料工艺在硅上形成三维结构
  • 作者:M. Rao,J. C. Lusth,S. L. Burkett
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Ti_(0.94)fe_(0.06)o_2 / ti_(0.94)mn_(0.06)o_2超晶格薄膜沉积在原子尺度的扁平蓝宝石衬底上,用于稀磁半导体
  • 作者:Nak-Jin Seong,Juan Jiang,Soon-Gil Yoon
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 多晶钨向单晶钨W(100)的转变及其在肖特基发射极中的潜在应用
  • 作者:A. K. Dokania,Ruud Hendrikx,P. Kruit
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 镧系元素离子注入金属氧化物半导体栅堆叠的有效功函数工程
  • 作者:A. Fet,V. Haeublein,A. J. Bauer,H. Ryssel
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Y_2o_3(111)/ si(111)支撑系统上外延Si(111)层的结构和缺陷
  • 作者:C. Borschel,C. Ronning,H. Hofsaess,A. Giussani,P. Zaumseil,Ch. Wenger,P. Storck,T. Schroeder
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Ar / o_2比对射频磁控溅射制备金属铁电(bifeo_3)-绝缘体(hfo_2)-半导体电容器电性能的影响
  • 作者:Trevor Pi-Chun Juan,Jong-Hong Lu,Ming-Wei Lu
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Hfo_2和Zro_2粉末和薄膜中缺陷的电子顺磁共振特征
  • 作者:R. C. Barklie,Sandra Wright
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Hfsio膜在金属-绝缘体-半导体结构中的陷阱相关介电吸收
  • 作者:M. Kerber,C. Fachmann,J. Heitmann,S. Kudelka,U. Schroeder,H. Reisinger
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 氧化薄膜:生长参数对氧和Ha空位的影响
  • 作者:E. Hildebrandt,J. Kurian,J. Zimmermann,A. Fleissner,H. von Seggern,L. Alff
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 双层(sio_2 / hfo_2)栅极电介质N型金属氧化物半导体场效应晶体管中电活性缺陷的空间分布
  • 作者:T. Nguyen,A. Savio,L. Militaru,C. Plossu
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 La_2hf_2o_7的频率色散和介电弛豫
  • 作者:C. Z. Zhao,S. Taylor,M. Werner,P. R. Chalker,J. M. Gaskell,A. C. Jones
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 漏电流对高k金属氧化物半导体电容器C-v图的影响
  • 作者:Y. Lu,S. Hall,L. Z. Tan,I. Z. Mitrovic,W. M. Davey,B. Raeissi,O. Engstroem,K. Cherkaoui,S. Monaghan,P. K. Hurley,H. D. B. Gottlob,M. C. Lemme
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 金属铁电体(bifeo_3)-绝缘体(y_2o_3)-半导体电容器和场效应晶体管的电气特性
  • 作者:Chih-Ming Lin,Wen-chieh Shih,Joseph Ya-min Lee
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 γ-al_2o_3(001)势垒对Laalo_3金属氧化物半导体电容器电学性能的影响
  • 作者:L. Becerra,C. Merckling,M. El-Kazzi,N. Baboux,B. Vilquin,G. Saint-Girons,C. Plossu,G. Hollinger
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 绝缘晶体管上Hfo_2 / sio_2栅氧化物完全耗尽的硅中的低频噪声分析
  • 作者:L. Zafari,J. Jomaah,G. Ghibaudo,O. Faynot
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 高k材料及其对伽马射线辐射的响应
  • 作者:C. Z. Zhao,S. Taylor,M. Werner,P. R. Chalker,R. J. Potter,J. M. Gaskell,A. C. Jones
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 辐照对Ha和氧化Ga栅极电介质的介电性能的影响
  • 作者:H. Garcia,S. Duenas,H. Castan,A. Gomez,L. Bailon,R. Barquero,K. Kukli,M. Ritala,M. Leskelae
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 纳米级注入和辐照的Sio_2 / si结构电性能
  • 作者:M. Porti,N. Nafria,S. Gerardin,X. Aymerich,A. Cester,A. Paccagnella,G. Ghidini
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Ge(100)衬底上生长的Hfo_2 / dy_2o_3栅堆叠中的电压依赖性弛豫,电荷陷阱和应力引起的漏电流效应的研究
  • 作者:M. S. Rahman,E. K. Evangelou,I. I. Androulidakis,A. Dimoulas,G. Mavrou,P. Tsipas
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 超薄Hf基(hfo_2)_x(sio_2)_(1-x)栅氧化膜的分解和降解
  • 作者:H. J. Uppal,I. Z. Mitrovic,S. Hall,B. Hamilton,V. Markevich,A. R. Peaker
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 渐进式氧化物软击穿对金属氧化物半导体参数的影响:实验和建模
  • 作者:L. Gerrer,G. Ribes,G. Ghibaudo,J. Jomaah
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 功函数调整的高k /金属栅叠层中偏置温度不稳定性的研究
  • 作者:B. Kaczer,A. Veloso,Ph. J. Roussel,T. Grasser,G. Groeseneken
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 氮化对高k /金属栅P型金属氧化物半导体场效应晶体管中可恢复和永久性负偏压温度不稳定性的影响
  • 作者:M. Aoulaiche,B. Kaczer,J. Roussel,R. O'Connor,M. Houssa,S. De Gendt,H. E. Maes,G. Groeseneken
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 不同衬底方向的Hfsion /锡鳍形场效应晶体管中的热载流子降解
  • 作者:Chadwin D. Young,Ji-Woon Yang,Kenneth Matthews,Sagar Suthram,Muhammad Mustafa Hussain,Gennadi Bersuker,Casey Smith,Rusty Harris,Rino Choi,Byoung Hun Lee,Hsing-Huang Tseng
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Sio_2界面层是高k电介质堆叠击穿的起源
  • 作者:M. Rafik,G. Ribes,D. Roy,G. Ghibaudd
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 具有增强可靠性的Al_2o_3-sio_2堆栈
  • 作者:M. Lisiansky,A. Fenigstein,A. Heiman,Y. Raskin,Y. Roizin,L. Bartholomew,J. Owyang,A. Gladkikh,R. Brener,I. Geppert,E. Lyakin,B. Meyler,Y. Shnieder,S. Yofis,M. Eizenberg
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 接触蚀刻停止层A-si_xn_y:h层:单个多晶硅闪存数据保留的关键因素
  • 作者:G. Beylier,D. Benoit,P. Mora,S. Bruyere,G. Ghibaudo
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 纳米晶体存储单元编程窗口的特殊特性
  • 作者:Alberto Gasperin,Esteve Amat,Javier Martin,Marc Porti,Montserrat Nafria,Alessandro Paccagnella
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 纳米级互补金属氧化物半导体成像器中用于沟槽隔离的低k电介质
  • 作者:F. lrrera,G. Puzzilli,L. Ricci,F. Russo,F. Stirpe
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 非晶Lngazno_4薄膜晶体管的界面相关电性能
  • 作者:Wantae Lim,Jung Hun Jang,S.-H. Kim,D. P. Norton,V. Craciun,S. J. Pearton,F. Ren,H. Chen
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 力显微镜光刻技术使用非晶态抗硫化砷层制造金属纳米线
  • 作者:H. D. Fonseca Filho,R. Prioli,M. H. P. Maurfcio
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 具有环形几何形状且高速(10 Gb / s)运行的Sio_x平面和晶体管封装的氧化物封装的垂直腔面发射激光器,具有环形几何形状
  • 作者:Chia-Lung Tsai,Jia-Qing Lin,Feng-Ming Lee,Yi-Lun Chou,Meng-Chyi Wu
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Rebl:高速无掩模电子束直接写入光刻的新方法
  • 作者:Paul Petric,Chris Bevis,Allen Carroll,Henry Percy,Marek Zywno,Keith Standiford,Alan Brodie,Noah Bareket,Luca Grella
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 并五苯中C_(60)混合物相分离的计算和实验研究
  • 作者:Ying Zheng,Sharon K. Pregler,Jason D. Myers,Jiaomin Ouyang,Susan B. Sinnott,Jiangeng Xue
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 集成有薄表面钝化层和硅/磷共注入源/漏的集成增强型Gaas金属氧化物半导体场效应晶体管
  • 作者:Fei Gao,S. J. Lee,D. L. Kwong
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 含Ar和Nh_3载气的金属有机化学气相沉积法制备的具有Al_2o_3绝缘膜的Inaln / gan金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
  • 作者:K. Cico,J. Kuzmik,J. Liday,K. Husekova,G. Pozzovivo,J.-F. Carlin,N. Grandjean,D. Pogany,P. Vogrincic,K. Froehlich
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 新型单环戊二烯基前体原子层沉积法制备氧化锆薄膜的行为
  • 作者:Kaupo Kukli,Jaakko Niinistoe,Aile Tamm,Mikko Ritala,Markku Leskelae
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 羧酸作为氧源原子层沉积生长高κ薄膜的退火和电性能的影响
  • 作者:E. Rauwel,F. Ducroquet,P. Rauwel,M.-G. Willinger,I. Matko,N. Pinna
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 Pr_xo_y / si堆栈的负离子缓冲层的优化
  • 作者:K. Henkel,Y. Burkov,K. Karavaev,M. Torche,C. Schwiertz,D. Schmeisser
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 基于Tio_2薄膜的气敏材料
  • 作者:Nicoleta Iftimie,D. Luca,Felicia Lacomi,Mihaela Girtan,Diana Mardare
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第1期
  • 机译 通过在氯中进行反应性离子蚀刻制成的高纵横比锗带板
  • 作者:Magnus Lindblom, Julia Reinspach, Olov von Hofsten, Michael Bertilson, Hans M. Hertz, Anders Holmberg
  • 刊名:Journal of Vacuum Science & Technology. B
  • 2009年第2期
  • 购物车
  • 意见反馈
  • 回到顶部
  • 回到首页
  • 联系方式:18141920177 (微信同号) 客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com
  • 中文期刊 外文期刊
  • 京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-1 六维联合信息科技(北京)有限公司©版权所有
  • 客服微信
  • 服务号